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KSE13003H1ASTU相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • KSE13003H1ASTU

  • 制造商：ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号：19+
  • 描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
  • RoHS:是
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-126-3
  • 晶体管极性:NPN
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
  • 集电极—基极电压 VCBO:700 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
  • 集电极—射极饱和电压:0.5 V
  • 最大直流电集电极电流:1.5 A
  • 增益带宽产品fT:4 MHz
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 系列:KSE13003
  • 直流电流增益 hFE 最大值:40
  • 高度:11 mm
  • 长度:8 mm
  • 封装:Tube
  • 宽度:3.25 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 集电极连续电流:1.5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:8
  • Pd-功率耗散:20 W
  • 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:1920
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:KSE13003H1ASTU_NL
  • 单位重量:761 mg

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