专注IC现货,您所值得信赖的IC供应商!欢迎联系我们获取IC报价,无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线:0755-83590458

当前位置:  ON安森美  >>  ON安森美相关型号  >>  FJB3307DTM详细信息

FJB3307DTM相关型号
  • RS1DFA

    DIODE GP 200V 800MA SOD123FA

  • RS1JFA

    DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

  • RS1KFA

    DIODE GP 800V 800MA SOD123FA

  • NSR0620SP2T5G

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD923

  • NSR0630P2T5G

    DIODE SCHOTTKY 30V 600MA SOD923

  • US2AA

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC

  • US2BA

    DIODE GP 100V 1.5A DO214AC

  • US2DA

    DIODE GP 200V 1.5A DO214AC

ON安森美热销型号
  • H11N1SR2M

    高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger

  • H11N1M

    高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger

  • HUFA76413DK8T-F085

    MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER

  • HGTG5N120BND

    IGBT 晶体管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

  • HGTG40N60B3

    IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series

  • HUF75345G3

    MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

  • HGTG20N60B3

    IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series

  • HGTG30N60B3D

    IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FJB3307DTM

  • 制造商:ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号:19+
  • 描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 700V/8A Built-in Diode
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,FJB3307DTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
  • RoHS:
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:D2PAK
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
  • 集电极—基极电压 VCBO:700 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
  • 最大直流电集电极电流:16 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 系列:FJB3307D
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 集电极连续电流:8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:5
  • Pd-功率耗散:1.72 W
  • 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:800
  • 子类别:Transistors
  • 单位重量:1.312 g

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

ON安森美的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户

我们一直持续专注
现货极具优势
无起订量限制
芯速度 芯未来
0755-83590458
13631560186
QQ询价
微信询价
真芯,细芯,更贴芯