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图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDP5N60NZ

  • 制造商：ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:4.5 A
  • Rds On-漏源导通电阻:1.65 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:25 V
  • Qg-栅极电荷:10 nC
  • Pd-功率耗散:100 W
  • 配置:Single
  • 商标名:UniFET
  • 封装:Tube
  • 高度:16.3 mm
  • 长度:10.67 mm
  • 系列:FDP5N60NZ
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.7 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 正向跨导 - 最小值:5 S
  • 下降时间:20 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:20 ns
  • 工厂包装数量:800
  • 子类别:MOSFETs
  • 单位重量:1.800 g

其它信息

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