专注IC现货，您所值得信赖的IC供应商！欢迎联系我们获取IC报价，无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线：0755-83590458

当前位置:  ON安森美  >>  ON安森美相关型号  >>  FCD7N60TM-WS详细信息

FCD7N60TM-WS相关型号
ON安森美热销型号

  • H11N1SR2M

    高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger

  • H11N1M

    高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger

  • HUFA76413DK8T-F085

    MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER

  • HGTG5N120BND

    IGBT 晶体管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

  • HGTG40N60B3

    IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series

  • HUF75345G3

    MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

  • HGTG20N60B3

    IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series

  • HGTG30N60B3D

    IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FCD7N60TM-WS

  • 制造商：ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，FCD7N60TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:7 A
  • Rds On-漏源导通电阻:530 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:83 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:SuperFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:2.39 mm
  • 长度:6.73 mm
  • 系列:FCD7N60
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 类型:SuperFET
  • 宽度:6.22 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 正向跨导 - 最小值:6 S
  • 下降时间:32 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:55 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:75 ns
  • 典型接通延迟时间:35 ns
  • 零件号别名:FCD7N60TM_WS
  • 单位重量:260.370 mg

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

ON安森美的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

深圳市瑞博齐创科技有限公司

国内从事ON安森美产品的销售，大小批量出货

7X24小时询价热线

0755-83590458

我们一直持续专注
现货极具优势
无起订量限制
芯速度 芯未来
0755-83590458
13631560186
QQ询价
微信询价
真芯，细芯，更贴芯