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FQA13N80-F109相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQA13N80-F109

  • 制造商：ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET TO-3P N-CH 600V
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，FQA13N80-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-3PN-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:800 V
  • Id-连续漏极电流:12.6 A
  • Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:300 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:QFET
  • 封装:Tube
  • 高度:20.1 mm
  • 长度:16.2 mm
  • 系列:FQA13N80_F109
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:5 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 下降时间:110 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:150 ns
  • 工厂包装数量:450
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:155 ns
  • 典型接通延迟时间:60 ns
  • 零件号别名:FQA13N80_F109
  • 单位重量:6.401 g

其它信息

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