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FQPF19N20C相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQPF19N20C

  • 制造商：ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:200 V
  • Id-连续漏极电流:19 A
  • Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:43 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:QFET
  • 封装:Tube
  • 高度:16.07 mm
  • 长度:10.36 mm
  • 系列:FQPF19N20C
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 类型:MOSFET
  • 宽度:4.9 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 正向跨导 - 最小值:10.8 S
  • 下降时间:115 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:150 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:135 ns
  • 典型接通延迟时间:15 ns
  • 零件号别名:FQPF19N20C_NL
  • 单位重量:2.270 g

其它信息

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