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图片仅供参考,请参考产品描述

  • FCI25N60N-F102

  • 制造商:ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,FCI25N60N-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-262-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:25 A
  • Rds On-漏源导通电阻:107 mOhms
  • Pd-功率耗散:216 W
  • 配置:Single
  • 封装:Tube
  • 高度:7.88 mm
  • 长度:10.29 mm
  • 系列:FCI25N60N
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.83 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 零件号别名:FCI25N60N_F102
  • 单位重量:2.084 g

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