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NCP303150MNTWG相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCP303150MNTWG

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 驱动配置半桥，低压侧
  • 通道类型单路
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源4.5V ~ 5.5V
  • 逻辑电压- VIL，VIH0.65V，2.7V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）100mA，100mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）30V
  • 上升/下降时间（典型值）17ns，26ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C （TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳39-PowerVFQFN
  • 供应商器件封装39-PQFN（5x6）

其它信息

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