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图片仅供参考，请参考产品描述

  • HGT1S3N60A4DS9A

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 600V 17A 70W D2PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，HGT1S3N60A4DS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）17A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)40A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.7V @ 15V，3A
  • 功率 - 最大值70W
  • 开关能量37µJ（开），25µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷21nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值6ns/73ns
  • 测试条件390V，3A，50 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）29ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263AB

其它信息

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