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图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTZS3151PT1H

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）860mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）150 毫欧 @ 950mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）5.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）458pF @ 16V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）170mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-563-6
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666

其它信息

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